关键技术受限追踪
光刻推定拒绝
EUV光刻机
替代: 暂无替代暂无替代
光刻逐案审查
浸没式DUV光刻机
替代: 上海微电子在研
刻蚀逐案审查
先进刻蚀机(7nm-)
替代: 中微公司已验证
薄膜沉积逐案审查
先进PECVD
替代: 拓荆科技已量产
EDA推定拒绝
7nm以下EDA
替代: 华大九天在研
材料实质断供
ArF光刻胶
替代: 南大光电已量产
AI芯片推定拒绝
英伟达Blackwell
替代: 华为昇腾910B已量产
材料监控
12寸高纯硅片
替代: 沪硅产业已量产
设备逐案审查
GaN MOCVD
替代: 中微公司已量产