关键技术受限追踪
光刻
推定拒绝
EUV光刻机
替代: 暂无替代
暂无替代
光刻
逐案审查
浸没式DUV光刻机
替代: 上海微电子
在研
刻蚀
逐案审查
先进刻蚀机(7nm-)
替代: 中微公司
已验证
薄膜沉积
逐案审查
先进PECVD
替代: 拓荆科技
已量产
EDA
推定拒绝
7nm以下EDA
替代: 华大九天
在研
材料
实质断供
ArF光刻胶
替代: 南大光电
已量产
AI芯片
推定拒绝
英伟达Blackwell
替代: 华为昇腾910B
已量产
材料
监控
12寸高纯硅片
替代: 沪硅产业
已量产
设备
逐案审查
GaN MOCVD
替代: 中微公司
已量产